Электроника в вопросах и ответах - Хабловски И. (читаем книги онлайн бесплатно полностью .txt) 📗
Как создаются индуктивности в полупроводниковых интегральных микросхемах?
Создание индуктивности в полупроводниковых интегральных микросхемах связано с некоторыми трудностями. В связи с этим при преобразовании классической схемы в схему, предназначенную для интеграции, следует применять RC-элементы и исключать элементы L. Трудности создания индуктивности в полупроводниковых микросхемах оказывают непосредственное влияние на выбор и структуру схем, предназначенных для интегрального исполнения. Приходится заменять схемы, построенные из дискретных элементов и содержащие индуктивности, несколько более громоздкими схемами, однако без индуктивности.
Некоторое увеличение схемы, предназначенной для интегрального исполнения, однако, имеет второстепенное значение. С этой точки зрения проще создавать схемы цифровой техники, так как они обычно реализуются без индуктивности (триггеры, логические элементы).
Что такое тонкопленочные интегральные микросхемы?
Это схемы, элементы которых совместно с межсоединениями создаются в виде тонких пленок [17], (проводящих, резистивных, диэлектрических и полупроводниковых) разных материалов, осажденных на общей стеклянной или керамической подложке. Схемы подобного типа изготавливают напылением в вакууме через соответствующие маски.
Обычно в виде тонкопленочных схем изготавливаются пассивные схемы. В отличие от полупроводниковых конденсаторов с р-n переходом емкость тонкопленочных конденсаторов не зависит от напряжения и может иметь значительно большее значение (например, в виде многослойных конденсаторов). Тонкопленочные резисторы также могут иметь большие сопротивления. Кроме того, их точность может быть очень высокой, а температурная зависимость слабой. Активные элементы в тонкопленочной технике пока еще недостаточно освоены, поэтому тонкопленочная техника не находит широкого практического применения.
Что такое толстопленочные интегральные микросхемы?
Это схемы, отличающиеся от тонкопленочных прежде всего тем, что они изготовлены путем вжигания окислов [18], расположенных на керамической подложке. Их применение ограничено, хотя встречаются чаще, чем тонкопленочные схемы. Толстопленочные схемы охватывают лишь пассивные схемы.
Что такое гибридные интегральные микросхемы?
Это схемы, изготовленные путем использования различных технологических методов, чаще всего такие, в которых резисторы, конденсаторы и их межсоединения выполнены с помощью тонкопленочной или толстопленочной технологии на керамической плате, а диоды и транзисторы представляют собой дискретные компоненты, вмонтированные в эту схему. Затем всю сборку заливают изолирующей смолой. В других вариантах пассивные тонкопленочные элементы напыляются на полупроводниковую пластинку, содержащую активные полупроводниковые элементы.
Что такое термистор?
Это нелинейный полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от температуры, причем рост температуры вызывает уменьшение сопротивления. Изменения температуры в термистора могут возникать под влиянием изменений внешней температуры или при изменении тока, протекающего через термистор. Рост тока вызывает увеличение температуры, что ведет к убыванию сопротивления, в результате чего напряженке ка термисторе может оставаться постоянным в определенном диапазоне изменения тока.
Примерный вид характеристик термистора и его графическое изображение представлены на рис. 5.19. Термисторы имеют широкий интервал номиналов сопротивлений. Их применяют для стабилизации напряжения, для компенсации влияния изменений температуры и т. д.
Рис. 5.19. Характеристики термистора (а) и его условное графическое обозначение (б)
Что такое варистор?
Это нелинейный полупроводниковый резистор, сопротивление которого зависит от напряжения. Примерный вид характеристики варистора и его графическое изображение представлены на рис. 5.20. Варисторы применяются, в частности, для стабилизации напряжения.
Рис. 5.20. Характеристика варистора (а) и его графическое изображение (б)
Что такое тиратрон?
Это газонаполненная лампа, являющаяся аналогом тиристора в том смысле, что помимо анода и катода содержит также электрод, используемый для изменения состояния лампы (пропускание или запирание). Примерная характеристика тиратрона и его графическое изображение показаны на рис. 5.21. Тиратроны выпускаются для работы при напряжениях от 100 В до 20 кВ и токах от долей ампера до 1000 А. Тиратроны применяют в схемах выпрямителей.
Рис. 5.21. Характеристика тиратрона (а) и его условное графическое обозначение (б)
Какие многосеточные лампы применяются в электронике?
Существует несколько типов многосеточных ламп: лампа с двумя сетками — тетрод, с тремя — пентод, с четырьмя — гексод, с пятью — гептод и с шестью — октод. Как известно, электронные лампы применяют все реже, особенно в маломощных схемах. Однако встречаются еще схемы с тетродами и пентодами, в основном в устройствах очень большой мощности.
Как работает тетрод и какова его характеристика?
От триода тетрод отличается конструктивно добавлением второй сетки, называемой экранирующей и расположенной в лампе между управляющей сеткой и анодом. На экранирующую сетку подается положительное, но меньшее, чем на анод, напряжение. Присутствие этой сетки значительно уменьшает емкость между управляющей сеткой и анодом, что ведет к уменьшению проникновения сигнала между цепями анода и первой сетки. Введение второй сетки в значительной степени уменьшает влияние анодного напряжения на анодный ток. Благодаря этому в тетроде роль управляющего электрода играет только первая сеткам изменения анодного напряжения оказывают малое влияние на работу тетрода как усилителя.
Принцип действия тетрода состоит в следующем. Излученные катодом электроны ускоряются из-за действия второй сетки, на которую подано положительное по отношению к катоду напряжение. Электроны достигают второй сетки, и большинство их пролетает через нее, попадая на анод. Анодное напряжение, которое больше, чем напряжение второй сетки, почти не влияет на количество электронов, попадающих на анод. Поэтому характеристика Iа = f(Uа) для тетрода (рис. 5.22) при напряжениях Ua > UC2 почти горизонтальна (полога). Сопротивление лампы и ее коэффициент усиления велики.
Рис. 5.22. Примерный вид характеристик тетрода (а) и его условное графическое обозначение (б)
При напряжениях Ua < UC2 электроны, достигающие анода, выбивают из него вторичные электроны, которые двигаются в направлении второй сетки, имеющей большее положительное напряжение, чем анод. Когда число вторичных электронов больше числа первичных, анодный ток изменяет направление (участок АВ на характеристике). В определенном (динатронном) интервале напряжений лампа имеет отрицательное сопротивление и может быть использована для генерирования колебаний.
