Большая Советская Энциклопедия (ТИ) - Большая Советская Энциклопедия "БСЭ" (бесплатные серии книг TXT) 📗

Тиреотоксикоз

Тиреотоксико'з [от новолат. (glandula) thyreoidea — щитовидная железа и токсикоз], заболевание, обусловленное повышенной функцией щитовидной железы. См. Зоб диффузный токсический .

Тиреотропный гормон

Тиреотро'пный гормо'н, ТТГ, тиротропин, тиреостимулирующий гормон, гормон, вырабатываемый у позвоночных животных и человека передней долей гипофиза; контролирует развитие и функции щитовидной железы . По химической природе Т. — сложный белок (гликопротеид ) с молекулярной массой 28000—30 000. Т. г. стимулирует расщепление белка тиреоглобулина в фолликулах щитовидной железы и выделение в кровь активных тиреоидных гормонов — тироксина и трииодтиронина ; он способствует увеличению фолликулярных клеток, поглощению йода и синтезу тироксина. Механизм действия Т. г., как и ряда др. гормонов, связан с его способностью активизировать синтез циклического аденозинмонофосфата (цАМФ), который активирует расщепление тиреоглобулина. Синтез и секреция Т. г. контролируются центральной нервной системой и в первую очередь гипоталамусом с помощью выделяемого им специального рилизинг-гормона , или тиротропин-рилизингфактора. При повышении в крови содержания тиреоидных гормонов они по принципу отрицательной обратной связи тормозят секрецию Т. г. путём воздействия как на гипоталамические центры его регуляции, так и непосредственно на гипофиз; в результате секреция тироксина и трииодтиронина уменьшается. Адреналин и кортикостероиды также подавляют секрецию Т. г., чем объясняется понижение активности щитовидной железы при различных стрессовых реакциях (кроме холодового стресса). См. также Адаптационный синдром , Нейросекреция .

  И. В. Крюкова.

Тиресий

Тире'сий, в древнегреческой мифологии слепой прорицатель из г. Фивы.

Тиринф

Тири'нф (Tiryns), древнегреческий город в Арголиде (Пелопоннес). Поселение на месте Т. возникло в эпоху неолита. В начале 2-го тысячелетии до н. э. Т. стал центром раннеклассового государства ахейцев . Время расцвета Т. приходится на 16—13 вв., когда на акрополе был выстроен большой царский дворец, украшенный фресками. Около 1400 акрополь Т. был обнесён мощными каменными стенами, так называемыми циклопическими, упомянутыми в «Илиаде» (II, 559) и описанными позднее Павсанием («Описание Эллады», II, 25). Укрепленные башнями стены Т. местами достигали 10 м толщины и имели внутри кладовые для оружия и др. Из крепости Т. подземный ход вёл к подземному источнику. Среди царей Т. особенно прославился Диомед (около 1240), согласно греческой традиции принимавший участие в походе на Трою . В 12 в., при вторжении дорийцев , акрополь Т. в результате пожара был опустошён, жизнь продолжалась в лежавшем вокруг акрополя нижнем городе. В 1-м тысячелетии до н. э. Т. оставался небольшим полисом. Около 470 до н. э. Т. был окончательно разрушен аргосцами.

  Археологические исследование Т. началось с 1831; наиболее значительные результаты дали раскопки В. Дёрпфельда (в 1884—85), немецких археологов Г. Каро и К. Мюллера (в 1912—38, с перерывами), греческого археолога Н. Верделиса (в 60-х гг. 20 в.).

  Лит.: Блаватская Т. В., Ахейская Греция во втором тысячелетии до н. э., М., 1966; Tiryns. Die Ergebnisse des Ausgrabungen des Institute, Bd I—6, Athen—Augsburg— Mainz am Rhein, 1912—73.

  Г. В. Блаватская.

Тиристор

Тири'стор (от греч. thýra — дверь, вход и англ. resistor — резистор ), полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с четырёхслойной структурой р—n—p—n -типа, обладающий свойствами вентиля электрического и имеющий нелинейную разрывную вольтамперную характеристику (ВАХ). С крайними слоями (областями) монокристалла контактируют силовые электроды (СЭ) — анод и катод, от одного из промежуточных слоев делают вывод электрода управления (УЭ).

  К СЭ подсоединяют токоподводы силовой цепи и устройства теплоотвода. В случае, когда к СЭ прикладывается напряжение прямой полярности U_np (как указано на рис. 1 ), первый (П₁ ) и третий (П₃ ) электронно-дырочные переходы смещаются в прямом направлении, а второй (П₂ ) — в обратном. Через переходы П₁ и П₃ в области, примыкающие к переходу П₂ , инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода П₂ , увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через Т. сначала растет медленно, что соответствует участку ОА на ВАХ (рис. 2 ). В этом режиме Т. можно считать запертым, так как сопротивление перехода П₂ всё ещё очень велико (при этом напряжения на переходах П₁ и П₃ малы, и почти всё приложенное напряжение падает на переходе П₂ ). По мере увеличения напряжения на Т. снижается доля напряжения, падающего на П₂ , и быстрее возрастают напряжения на П₁ и П₂ , что вызывает дальнейшее увеличение тока через Т. и усиление инжекции неосновных носителей в область П₃ . При некотором значении напряжения (порядка десятков или сотен в ), называется напряжением переключения U_пер (точка А на ВАХ), процесс приобретает лавинообразный характер, Т. переходит в состояние с высокой проводимостью (включается), и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи (точка В на ВАХ).

  Процесс скачкообразного переключения Т. из состояния с низкой проводимостью в состояние с высокой проводимостью можно объяснить, рассматривая Т. как комбинацию двух транзисторов (T₁ и Т₂ ), включенных навстречу друг другу (рис. 3 ). Крайние области монокристалла являются эмиттерами (р -слой называется анодным эмиттером, n -слой — катодным), а средние — коллектором одного и одновременно базой др. транзистора. Ток i , протекающий во внешней цепи Т., является током первого эмиттера i_э1 и током второго эмиттера i_э2 . Вместе с тем этот ток складывается из двух коллекторных токов i_к1 и i_к2 , равных соответственно a₁i_э1 и a₂i_э2 , где «a₁ и a₂ — коэффициенты передачи эмиттерного тока транзисторов T₁ и Т₂ ; кроме того, в его состав входит ток коллекторного перехода i_кo (так называемый обратный ток). Таким образом i = a₁i_э1 + a₂i_э2 + i_кo . С учётом i_э1 = i_э2 = i имеем 

. При малых токах a₁ и a₂ значительно меньше 1 (и их сумма также меньше 1). С увеличением тока a₁ и a₂ растут, что ведёт к возрастанию i. Когда он достигает значения, называется током включения I_вк, сумма a₁ +a₂ становится приблизительно равной 1, и ток скачком возрастает до величины, ограничиваемой сопротивлением нагрузки (точка В на рис. 2 ). Всякий Т. характеризуется предельно допустимым значением прямого тока I_пред (точка Г на рис. 2 ), при котором на приборе будет небольшое остаточное напряжение U_ocт . Если же уменьшать ток через Т., то при некотором его значении, называется удерживающим током I_yд (точка Б на рис. 2 ), Т. запирается — переходит в состояние с низкой проводимостью, соответствующее участку ОА на ВАХ. При напряжении обратной полярности кривая зависимости тока от напряжения выглядит так же, как соответствующая часть ВАХ полупроводникового диода .