Большая Советская Энциклопедия (РЕ) - Большая Советская Энциклопедия "БСЭ" (читать полную версию книги txt) 📗
При Р. с. косвенным методом изображение, образованное РЛ на флуоресцирующем экране с жёлто-зелёным или зелёным свечением, снимается при помощи фото- или киноаппарата на специальную флюорографическую плёнку с высокой чувствительностью к свету жёлто-зелёной области спектра или регистрируется видеомагнитофоном. Для усиления яркости изображения используют экраны с флуоресцирующим слоем, нанесённым на металлическую пластинку и покрытым с внешней стороны тонким металлическим слоем. При подаче на металлический слой и пластинку постоянного напряжения свечение экрана усиливается приблизительно в 10 раз. Значительно большего усиления яркости достигают включением в схему рентгеновской съёмочной установки электроннооптического преобразователя изображения (ЭОП). В таких установках РЛ после прохождения сквозь объект падают на фотокатод ЭОП, а изображение, полученное на экране последнего, переснимается фото- или киноаппаратом. Просвечивание объекта при рентгеновской киносъёмке косвенным методом в простейшем случае производится непрерывно в течение всего времени съёмки. Однако в большинстве современных рентгеновских киноустановок рентгеновское излучение генерируется периодически — лишь во время экспонирования кадра. Благодаря этому интенсивность рентгеновского излучения во многих случаях (особенно в установках с ЭОП) может быть сохранена в пределах допустимых норм облучения биологических объектов. Этот вид Р. с. широко используют в медицинской рентгенодиагностике. При съёмке технических объектов, где интенсивность рентгеновского облучения не играет существенной роли, частота импульсной Р. с. может достигать 1000 кадров в сек. См. также Электрорентгенография.
Лит.: Байза К., Хентер Л., Холбок Ш., Рентгенотехника, [пер. с венг.], Будапешт, 1973.
А. А. Сахаров.
Рентгеновская топография
Рентге'новская топогра'фия, совокупность рентгеновских дифракционных методов изучения различных дефектов строения в почти совершенных кристаллах. К таким дефектам относятся: блоки и границы структурных элементов, дефекты упаковки, дислокации, скопления атомов примесей, деформации. Осуществляя дифракцию рентгеновских лучей на кристаллах различными методами «на просвет» и «на отражение» в специальных рентгеновских камерах, получают рентгенограмму — дифракционное изображение кристалла, называемое в структурном анализе топограммой. Физическую основу методов Р. т. составляет дифракционный контраст в изображении различных областей кристалла в пределах одного дифракционного пятна. Этот контраст формируется вследствие различий интенсивностей или направлений лучей от разных точек кристалла в соответствии с совершенством или ориентацией кристаллической решётки кристалла в этих точках. Эффект, вызываемый изменением хода лучей, позволяет оценивать размеры и дезориентации элементов субструктуры (фрагментов, блоков) в кристаллах, а различие в интенсивностях пучков используется для выявления дефектов упаковки, дислокаций, сегрегаций примесей и напряжений. Р. т. отличают от др. рентгеновских методов исследования кристаллов высокая разрешающая способность и чувствительность, а также возможность исследования объёмного расположения дефектов в сравнительно крупных по размеру почти совершенных кристаллах (до десятков см).
Линейное разрешение многих методов Р. т. составляет от 20 до 1 мкм, угловое разрешение —от 1' до 0,01“. Чувствительность определяется контрастом в интенсивностях дифрагированных лучей от «удачно» и «неудачно» ориентированных областей и от «совершенных» и «искажённых» областей кристалла.
Методы Р. т. различаются по области используемых углов дифракции, по характеру выявляемых дефектов (макроскопические дефекты, дефекты кристаллической решётки), степени несовершенства и дефектности кристаллов, чувствительности и разрешающей способности. На рис. 1—5 приведены принципиальные схемы некоторых методов Р. т. и топограммы кристаллов, полученные этими методами. Преобразование рентгеновских изображений в видимые с последующей их передачей на телевизионный экран позволяет осуществлять контроль дефектности кристаллов в процессе различных воздействий на них при технологической обработке или при исследовании их свойств.
Лит.: Иверонова В. И., Ревкевич Г. П., Теория рассеяния рентгеновских лучей, М., 1972: Умайский Я. С., Рентгенография металлов, М., 1967; Лютцау В. Г., Фишман Ю. М., Метод дифракционной топографии на основе сканирования в широком пучке рентгеновских лучей, «Кристаллография», 1969, т. 14, в. 5, с. 835: Ровинский Б. М., Лютцау В. Г., Ханонкин А. А., Рентгенографические методы исследования структурных несовершенств и дефектов решетки в кристаллических материалах, «Аппаратура и методы рентгеновского анализа», 1971, в. 9, с. 3—35; Kozaki S., Hashizume H., Kohra K., High-resolution video display of X-ray topographs with the divergent Laue method, «Japanese Journal of Applied Physics», 1972, v. 11, № 10, p. 1514.
В. Г. Лютцау.
Рис. 4, а. Схема топографирования в широком параллельном пучке монохроматического рентгеновского излучения. От линейного фокуса щелями I и II формируется параллельный пучок лучей, падающий на кристалл под брэгговским углом 2J, и из дифрагированного пучка щелью III выделяется параллельный пучок, фиксируемый на фотопластинке. Для исследования больших кристаллов во время съёмки кристалл и фотопластинку можно синхронно перемещать.
Рис. 2, а. Схема топографирования кристаллов «на просвет» по методу Фудживара. Расходящийся из «точечного» источника пучок рентгеновских лучей с непрерывным спектром при прохождении через «тонкий» (толщиной t ³ 1/m, где m — коэффициент поглощения рентгеновских лучей) кристалл создаёт его изображение. Увеличение B/D.
Рис. 1, б. Топограмма по Шульцу алюминииевого монокристалла. Тёмные и светлые полосы на топограмме соответствуют границам блоков в кристалле. Их ширина и цвет определяются величиной и направлением взаимного разворота блоков в кристалле.
Рис. 4, б. Топограмма монокристалла кремния, полученная по методу широкого параллельного пучка.Толщина кристалла 0,3 мм. Видны отдельные ростовые дислокации (тёмные линии). Увеличено.
Рис. 3, б. Топограмма блочного кристалла алюминия по Бергу — Барретту. Разворот блоков в кристалле фиксируется в виде светлых участков (1) и границ между тёмными участками (2).
Рис. 5, б. Топограмма монокристаллов кремния, полученная по методу Ланга. Толщина кристалла 0,5 мм. Видны отдельные дислокации (d). Увеличено.
Рис. 5, а. Схема топографирования кристаллов в узком параллельном пучке «на просвет» по методу Ланга. Рентгеновские монохроматические лучи от «точечного» источника выделяются узкой (0,1 мм) щелью так, что на кристалл попадает только излучение Кa1. Дифракционное изображение выделяется второй щелью и фиксируется на фотопластинке. Монохроматичность излучения тем выше, чем больше расстояние А и меньше ширина щели S. Для больших кристаллов необходимо синхронное возвратно-поступательное перемещение кристалла и фотопластинки (щели при этом неподвижны).
